型号:SPA15N60C3
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220FP-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:600 V
Id-连续漏极电流:15 A
Rds On-漏源导通电阻:280 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:20 V
最小工作温度:- 55 C
工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:34 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封装:Tube
高度:16.15 mm
长度:10.65 mm
晶体管类型:1 N-Channel
宽度:4.85 mm
下降时间:5 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:5 ns
工厂包装数量:1000
典型关闭延迟时间:50 ns
典型接通延迟时间:10 ns
单位重量:6 g