型号:STW24NM60N
制造商:STMicroelectronics
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-247-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:600 V
Id-连续漏极电流:17 A
Rds On-漏源导通电阻:190 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:30 V
Qg-栅极电荷:46 nC
最小工作温度:- 55 C
工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:125 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封装:Tube
系列:STW24NM60N
晶体管类型:1 N-Channel
商标:STMicroelectronics
下降时间:37 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:16.5 ns
工厂包装数量:600
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:73 ns
典型接通延迟时间:11.5 ns
单位重量:38 g