技术参数
品牌: | onsemi |
型号: | MJD117G |
封装: | SMD |
批次: | 21+ |
数量: | 30000 |
制造商: | ON Semiconductor |
晶体管类型: | PNP - 达林顿 |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(值): | 3V @ 40mA,4A |
电流 - 集电极截止(值): | 20µA |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): | 1000 @ 2A,3V |
频率 - 跃迁: | 25MHz |
工作温度: | -65°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
电流 - 集电极 (Ic)(值): | 2 A |
电压 - 集射极击穿(值): | 100 V |
功率 - 值: | 1.75 W |
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