技术参数
品牌: | Diodes Incorporated |
型号: | DXTN07100BP5Q-13 |
封装: | SMD |
批次: | 21+ |
数量: | 30000 |
制造商: | Diodes Incorporated |
产品种类: | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | PowerDI-5 |
晶体管极性: | NPN |
配置: | Single |
集电极—发射极电压 VCEO: | 100 V |
集电极—基极电压 VCBO: | 120 V |
发射极 - 基极电压 VEBO: | 5 V |
集电极—射极饱和电压: | 0.23 V |
Pd-功率耗散: | 3.2 W |
增益带宽产品fT: | 175 MHz |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
资格: | AEC-Q101 |
直流电流增益 hFE 值: | 300 |
技术: | Si |
商标: | Diodes Incorporated |
集电极连续电流: | 2 A |
直流集电极/Base Gain hfe Min: | 100 |
产品类型: | BJTs - Bipolar Transistors |
工厂包装数量: | 5000 |
子类别: | Transistors |
单位重量: | 93 mg |
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