技术参数
品牌: | Diodes Incorporated |
型号: | 2DB1386R-13 |
封装: | SMD |
批次: | 21+ |
数量: | 30000 |
制造商: | Diodes Incorporated |
产品种类: | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SOT-89-3 |
晶体管极性: | PNP |
配置: | Single |
集电极—发射极电压 VCEO: | - 20 V |
集电极—基极电压 VCBO: | - 30 V |
发射极 - 基极电压 VEBO: | - 6 V |
集电极—射极饱和电压: | - 250 mV |
直流电集电极电流: | - 5 A |
Pd-功率耗散: | 1000 mW |
增益带宽产品fT: | 100 MHz |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
系列: | 2DB13 |
直流电流增益 hFE 值: | 180 at 500 mA, 2 V |
高度: | 1.5 mm |
长度: | 4.5 mm |
技术: | Si |
宽度: | 2.48 mm |
商标: | Diodes Incorporated |
直流集电极/Base Gain hfe Min: | 180 at 500 mA, 2 V |
产品类型: | BJTs - Bipolar Transistors |
工厂包装数量: | 2500 |
子类别: | Transistors |
单位重量: | 130.500 mg |
所有评论仅代表网友意见,与本站立场无关。