产品简介
技术参数品牌:TOSHIBA型号:TPH4R50ANH
详情介绍
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技术参数
品牌: | TOSHIBA |
型号: | TPH4R50ANH,L1Q |
批号: | 1528+ |
封装: | QFN8 |
数量: | 300 |
QQ: | |
制造商: | Toshiba |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技术: | Si |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SOP Advance-8 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 100 V |
Id-连续漏极电流: | 93 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 4.5 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 10 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 2 V |
Qg-栅极电荷: | 58 nC |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 78 W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
商标名: | U-MOSVIII-H |
封装: | Cut Tape |
封装: | MouseReel |
封装: | Reel |
高度: | 0.95 mm |
长度: | 5 mm |
系列: | TPH4R50ANH |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
宽度: | 5 mm |
商标: | Toshiba |
下降时间: | 13 ns |
产品类型: | MOSFET |
上升时间: | 9.6 ns |
工厂包装数量: | 5000 |
子类别: | MOSFETs |
典型关闭延迟时间: | 52 ns |
典型接通延迟时间: | 25 ns |
单位重量: | 851 mg |
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