产品简介
技术参数品牌:INFINEON型号:IRF9530NPBF批号:1751+封装:TO220数量:259QQ:制造商:InfineonTechnologies系列:HEXFET®FET类型:P通道25°C时电流-连续漏极(Id):14A(Tc)驱动电压(RdsOn
详情介绍
技术参数
品牌: | INFINEON |
型号: | IRF9530NPBF |
批号: | 1751+ |
封装: | TO220 |
数量: | 259 |
QQ: | |
制造商: | Infineon Technologies |
系列: | HEXFET® |
FET 类型: | P 通道 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 14A(Tc) |
驱动电压( Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值): | 200 毫欧 @ 8.4A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(值): | 4V @ 250µA |
Vgs(值): | ±20V |
功率耗散(值): | 79W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
封装/外壳: | TO-220-3 |
漏源电压(Vdss): | 100 V |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值): | 58 nC @ 10 V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值): | 760 pF @ 25 V |
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