简介

scia Mill 150适用于在多种材料复杂多层膜上的微结构刻蚀。该系统对活性气体相容，能够进行反应蚀刻工艺以提高选择性和刻蚀速率。由于其节省空间的设计，scia Mill 150是小规模生产和研发应用的理想选择。

常规属性

- 采用圆形离子源对全部样品区域在惰性或反应气体环境下进行刻蚀

- 可进行离子束刻蚀（IBE、IBM）、反应离子束刻蚀（RIBE）和化学辅助离子束刻蚀（CAIBE）

- 刻蚀角度调整：样品台可以旋转且倾斜可调

- 可获得的均匀性而无需修正挡板

- 通过反应气体可以提高刻蚀速率，并控制刻蚀选择性

- 通过基于SIMS（二次离子质谱）或光学的截止点探测技术控制工艺

- 可配备晶圆载具（wafer carrier）以适用不同尺寸基底

- 可以刻蚀光刻胶晶圆，具有良好的样品冷却配置

系统性能