产品简介
技术参数品牌：VISHAY/威世型号：SI4942DY-T1-E3批号：2105+封装：8SOIC数量：21600QQ：对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）类别：分立半导体产品产品族：晶体管-FET
详情介绍
技术参数
| 品牌： | VISHAY/威世 |
| 型号： | SI4942DY-T1-E3 |
| 批号： | 2105+ |
| 封装： | 8SOIC |
| 数量： | 21600 |
| QQ： | |
| 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况： | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
| 湿气敏感性等级 （MSL）： | 1（无限） |
| 类别： | 分立半导体产品 |
| 产品族： | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 类型： | 2 N-通道（双） |
| FET 功能： | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss）： | 40V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： | |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）： | 21 毫欧 @ ，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（值）： | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）： | 32nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）： | - |
| 功率 - 值： | |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（"， 宽） |
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