产品简介
技术参数品牌：VISHAY/威世型号：SI4288DY-T1-GE3批号：2105+封装：SOP-8数量：21600QQ：制造商：Vishay产品种类：MOSFETRoHS：是技术：Si安装风格：SMD/SMT封装/箱体：SO-8晶体管极性：N-Channel通道数量：2ChannelVds-漏源极击穿电压：40VId-连续漏极电流：9
详情介绍
技术参数
| 品牌： | VISHAY/威世 |
| 型号： | SI4288DY-T1-GE3 |
| 批号： | 2105+ |
| 封装： | SOP-8 |
| 数量： | 21600 |
| QQ： | |
| 制造商： | Vishay |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技术： | Si |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SO-8 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 2 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 40 V |
| Id-连续漏极电流： | A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 20 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 10 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | V |
| Qg-栅极电荷： | 10 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 商标名： | TrenchFET |
| 封装： | Cut Tape |
| 封装： | MouseReel |
| 封装： | Reel |
| 配置： | Dual |
| 系列： | SI4 |
| 晶体管类型： | 2 N-Channel |
| 商标： | Vishay Semiconductors |
| 正向跨导 - 最小值： | 35 S |
| 下降时间： | 8 ns |
| 产品类型： | MOSFET |
| 上升时间： | 9 ns |
| 工厂包装数量： | 2500 |
| 子类别： | MOSFETs |
| 典型关闭延迟时间： | 16 ns |
| 典型接通延迟时间： | 7 ns |
| 零件号别名： | SI4288DY-GE3 |
| 单位重量： | mg |
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