印度研究机构向牛津仪器公司订购多台设备

印度（IISc）电子及通讯工程系Navakanta Bhat教授评价："我们之所以选择牛津仪器的设备，是因其设备工艺具有良好的均匀性，且该公司为客户提供的支持。牛津仪器员工的技术能力、为客户服务的工作热忱、以及视客户为合作伙伴的服务态度，令我们印象深刻。

我们新购的设备在我们国家是仅有的，将安装在纳米科学与工程研究中心 （CeNSE）新建大楼 （90,000平方英尺）中面积14,000平方英尺的无尘室。这一的无尘室将安装的设备，以满足研究人员的各种需求，而牛津仪器的设备正好为我们提供了所需的广泛的工艺流程和的技术，使印度（IISc）能够在多领域进行技术前沿研究，包括纳米电子学、微机电系统等，这将有助于我们达成开发可商业化新技术的目标。

牛津仪器等离子技术部是刻蚀、沉积和生长设备的，近期获得位于印度班加罗尔的印度（IISc）纳米电子研究中心（CEN）采购三台等离子刻蚀与沉积设备的订单。这三台System100等离子刻蚀与沉积设备将安装在该纳米电子研究中心（CEN）的纳米电子设备无尘室内，其中两台是PlasmaPro^TM System 100系列电感耦合等离子体刻蚀 （ ICP）设备，另一台是PlasmaPro^TM System 100系列等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备。

System100是灵活、功能的等离子刻蚀和沉积工艺设备，采用真空进样室进样，可进行快速的晶片更换、采用多种工艺气体并扩大了允许的温度范围。PlasmaPro System100等离子刻蚀和沉积设备具有比较大的工艺灵活性，适用于化合物半导体、光电子学、光子学、微机电系统和微流体技术， 该设备可以有很多配置，包括印度所订购的电感耦合等离子体刻蚀（ICP）设备和等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备。

上述两台感应耦合等离子体-反应离子刻蚀（ICP-RIE）设备、以及一台等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备是专为印度（IISc）纳米电子研究中心（CEN）所要求的多种工艺而配置的，可应用于多晶硅、氧化硅、氮化硅及多种金属等化学材料的刻蚀工艺。除硅刻蚀工艺外，这些设备亦配置了刻蚀速率高、高频大功率晶体管所需的砷化镓和氮化镓刻蚀工艺。等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备可增强氮化物沉积，可运用于微机电传感器、或作为惯性传感器结构材料运用于低温多晶硅薄膜。

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