碳化硅(SiC)具有半导性和良好的导热性，近年来被应用于边界层陶瓷电容器领域，通过控制边界层的成分和结构，可以成功制备出高介电常数的SiC基边界层陶瓷电容器，其高温段的介电常数远高于传统的钛酸盐类介电材料，具有广阔的应用前景。对SiC陶瓷电容器的前期研究结果发现，其高介电常数出现在高温区；由于边界层结构的影响，其介质损耗非常高。因此，如何降低SiC电容器的介质损耗是今后该领域研究的一个重点。为了解决这些问题，热压烧结炉需要选择合适的第二相，降低SiC电容器的介质损耗，改善介电常数的温度稳定性。

Ramirez和Subramanian等人发现具有类钙钛矿结构的CaCu3Ti4O12(CCTO)具有优异的介电性能。在100～600 K的温度范围内具有很高的介电系数，并且几乎恒定不变，没有发现有相变发生，这是铁电或弛豫材料都难以达到的。由于的介电常数，CCTO被誉为“巨介电性能”材料。此外，CCTO还具有介质损耗较低、制备工艺简单、烧结温度低等优点，引起材料工作者的极大兴趣。但是CCTO介电性能对制备过程很敏感。不同工艺条件制得的样品的介电常数差别很大，进一步研究发现，CCTO内部缺陷和晶粒尺寸大小对其介电性能影响都比较大。D．Capsoni等研究了掺杂和CuO偏析对CCTO电输运和介电性能的作用，通过Fe、Ni、Co取代Ti位和CuO偏析，可以使纯CCTO试样晶界层的介电性大大提高，而晶体的体电容率受掺杂物的影响很小(90≤ξ1≤180)，这表明其高介电性是由于晶界层的作用。他们指出：在空气中，通过中温(1323℃)固相反应，就可以制得内部阻挡层的CCTO电容器材料，通过选择合适的掺杂物，可以有效提高CCTO的介电性能。

CCTO在常温时就具有的介电常数，而且具有优异的温度独立性，没有相变发生，CCTO的介电损耗较低，若使SiC与CCTO复合，制得SiC/CCTO复合陶瓷电容器，则有望获得在低温范围和高温范围都具有介电常数的陶瓷电容器。

热压烧结炉