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三硫化镍（磷掺杂）晶体（百分之99.995） 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2023-05-22 浏览次数 5 三硫化镍（磷掺杂）晶体（99.995%） NiPS3晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%低维材料层状过渡金属化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2对比
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三硫化锰（磷掺杂）晶体（百分之99.995） 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2023-05-22 浏览次数 5 三硫化锰（磷掺杂）晶体（99.995%） MnPS3晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%低维材料层状过渡金属化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2对比
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三硫化铁（磷掺杂）晶体（百分之99.995） 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2023-05-22 浏览次数 6 三硫化铁（磷掺杂）晶体（99.995%） FePS3晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%低维材料层状过渡金属化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2对比
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三硫化铌晶体（百分之99.995） NbS3 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2023-05-22 浏览次数 6 三硫化铌晶体（99.995%） NbS3晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%低维材料层状过渡金属化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2对比
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二硫化铌晶体 NbS2（2H-Niobium Disulfide） 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2023-05-22 浏览次数 5 二硫化铌晶体 2H-NbS2（Niobium Disulfide）晶体尺寸：2毫米电学性能：金属，superconductor （Tc~6K）, charge density waves （CDW） system.晶体结构：六边形晶胞参数：a = b = 0.332 nm, c = 1.197 nm, α = β = 90, γ = 120#176;晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%对比
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硫化铋 Bi2S3 （Bismuth Sulfide） 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2023-05-22 浏览次数 6 晶体尺寸：10毫米电学性能：半导体晶体结构：斜方晶系晶胞参数：a = 0.4025nm，B = 1.117nm，C = 1.135nm，α=β=γ= 9晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%表征方法：XRD，拉曼，EDX，霍尔测量对比
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二硫化钼晶体（合成/2H） 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2023-05-22 浏览次数 8 Single crystal highly oriented -synthetic- molybdenum disulfide （2H-MoS₂） comes in bulk.对比
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硫盐矿物晶体（百分之99.995） 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2023-05-22 浏览次数 5 硫盐矿物晶体 Pb3Sn4FeSb2S14（Lead Tin Ferrum Antimony Sulfide）晶体结构：六边形类型：合成尺寸：~8mm纯度：gt;99.995%属性：超导体对比
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二硫化钼铼晶体 MoReS₂ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2023-05-22 浏览次数 7 Rhenium atoms perfectly incorporated into MoS₂ matrix.对比
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二硫化钛晶体（百分之99.995） 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2023-05-22 浏览次数 6 二硫化钛晶体 TiS2（Tantalum Sulfide） 晶体结构：六边形晶体尺寸:~10毫米电学性能：半金属，逆磁性晶体结构：六边形晶胞参数：a = b = 0.340 nm, c = 0.570 nm, α = β = 90#176;, γ = 120#176;晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%对比
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二硫化钨晶体（百分之99.995） 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2023-05-22 浏览次数 8 二硫化钨晶体 2H-WS2（Tungsten Disulfide）晶体结构：六边形晶体尺寸：~10毫米电学性能：N型半导体晶体结构：六边形晶胞参数：a = b = 0.315 nm, c = 1.227 nm, α = β = 90, γ = 120#176;晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%对比
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二硫化钽晶体（2H/百分之99.995） TaS2 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2023-05-21 浏览次数 7 二硫化钽晶体（2H） TaS2（Tantalum Sulfide） -2H晶体尺寸：~10毫米电学性能：Metal, Charge density waves （CDW） system below ~75K, Superconductor with Tc ~1K 金属、电荷密度波（CDW）晶体结构：六边形晶胞参数：a = b = 0.331 nm,对比
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二硫化钽晶体（1T/百分之99.995） TaS2 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2023-05-21 浏览次数 7 二硫化钽晶体（1T） TaS2（Tantalum Sulfide） -1T晶体尺寸：~8毫米电学性能：半导体，电荷密度波（CDW），Mott相晶体结构：六边形晶胞参数：a = b = 0.336 nm, c = 0.590 nm, α = β = 90#176;, γ = 120#176;晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%对比
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二硫化锡晶体（百分之99.995） 2H-SnS2 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2023-05-21 浏览次数 6 二硫化锡晶体 2H-SnS2（Tin Sulfide）晶体尺寸：~8毫米电学性能：半导体（~ 2.2ev）晶体结构：六边形晶胞参数：a = b = 0.364, c = 0.589 nm, α = β = 90#176;, γ = 120#176;晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%对比
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二硫化铼晶体（百分之99.995） ReS2 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2023-05-21 浏览次数 10 二硫化铼晶体 ReS2 （Rhenium Disulfide）晶体结构：三斜晶晶体尺寸：~8毫米电学性能：N型半导体晶体结构：三斜晶系晶胞参数：a = 0.634, b = 0.640 nm, c = 0.645 nm, α = 106.74#176;, β = 119.03#176;, γ = 89.97#176;晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%对比
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二硫化铅锡晶体（百分之99.995） PbSnS2 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2023-05-21 浏览次数 7 二硫化铅锡晶体 PbSnS2（Lead Tin Disulfide）晶体结构：六边形类型：天然晶体尺寸：~8mm纯度：gt;99.995%属性：半导体对比
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二硫化铌晶体（百分之99.995） 3R-NbS2 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2023-05-21 浏览次数 7 二硫化铌晶体 3R-NbS2（Niobium Disulfide）晶体尺寸：4毫米电学性能：金属晶体结构：六边形晶胞参数：a = b = 0.330 nm, c = 1.792 nm, α = β = 90, γ = 120#176;晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%对比
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二硫化钨钼晶体（百分之99.995） MoWS2 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2023-05-21 浏览次数 7 二硫化钨钼晶体 MoWS2（Molybdenum Tungsten Disulfide alloy）晶体尺寸：~6毫米电学性能：半导体晶体结构：六边形晶胞参数：取决于合金成分：a = b = 0.31 -0.33 nm and c = 1.21 -1.29 nm, α = β = 90#176;, γ =120#176;晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%对比
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大尺寸二硫化钼晶体（天然/百分99.9） MoS2 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2023-05-21 浏览次数 8 大尺寸二硫化钼晶体（天然/99.9%） MoS2（Molybdenum Disulfide）晶体尺寸：~10毫米- 15毫米电学性能：半导体晶体结构：六边形晶胞参数：a = b = 0.315 nm, c = 1.229 nm, α = β = 90#176;, γ = 120#176;晶体类型：合成晶体纯度：＞99.9%对比
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二硫化钼晶体MoS2-syn 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2023-05-21 浏览次数 6 二硫化钼晶体（2H-合成/99.995%/p 型） MoS2（Molybdenum Disulfide）-syn晶体尺寸:~10毫米电学性能：P型半导体晶体结构：六边形晶胞参数：a = b = 0.315 nm, c = 1.229 nm, α = β = 90#176;, γ = 120#176;晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%对比
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二硫化钼晶体MoS2-syn-N type 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2023-05-21 浏览次数 8 二硫化钼晶体（2H-合成/99.995%/n 型） MoS2（Molybdenum Disulfide）-syn晶体尺寸:~10毫米电学性能：N型半导体晶体结构：六边形晶胞参数：a = b = 0.315 nm, c = 1.229 nm, α = β = 90#176;, γ = 120#176;晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%对比
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二硫化钼晶体（天然/百分之99）MoS2 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2023-05-21 浏览次数 9 二硫化钼晶体（天然） MoS2（Molybdenum Disulfide）晶体结构：六边形类型：天然晶体尺寸：~10mm-20mm纯度：gt;99%属性：半导体对比
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二硫化铪晶体（百分之99.995） HfS2 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2023-05-21 浏览次数 5 二硫化铪晶体 HfS2 （Hafnium Disulfide）晶体尺寸：~10毫米电学性能：半导体晶体结构：六边形晶胞参数：a = b = 0.363 nm, c = 0.586 nm, α = β = 90#176;, γ = 120#176;晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%对比
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硫化锗晶体（百分之99.995） GeS 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2023-05-21 浏览次数 6 硫化锗晶体 GeS（Germanium Sulfide）晶体尺寸：~10毫米电学性能：半导体晶体结构：斜方晶系晶胞参数：a = 1.450, b = 0.364 nm, c = 0.430 nm, α = β = γ = 90#176;晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%对比
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硫化镓晶体（百分之99.995） GaS 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2023-05-21 浏览次数 6 硫化镓晶体 GaS（Gallium Sulfide）晶体尺寸：~10毫米电学性能：半导体晶体结构：六边形晶胞参数：a = 0.360, b = 0.640 nm, c = 1.544 nm, α = β = 90#176;, γ = 120#176;晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%对比
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TiSe2 二硒化钛晶体 （Titanium Diselenide） 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2023-05-21 浏览次数 9 Our TiSe2 crystals are stabilized in 2H-phase （CDW metallic phase）.对比
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TaSe2 二硒化钽晶体 （Tantalum Diselenide） 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2023-05-21 浏览次数 11 Environmentally stable 2H-TaSe2 crystals have been synthesized at our facilities through flux zone method or chemical vapor transport （CVT） technique.对比
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ZrSe3 三硒化锆晶体 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2023-05-21 浏览次数 10 Zirconium triselenide belongs to the group-IV transition metal trichalcogenides.对比
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Sb2Se3 硒化锑晶体 （Antimony selenide） 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2023-05-21 浏览次数 6 Antimony triselenide is the chemical compound with the formula Sb2Se3 which crystallizes in an orthorhombic space group.对比
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ReSSe crystals 硒化硫铼晶体 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2023-05-21 浏览次数 9 Single crystal ReSxSe2（1-x） alloy rystals are developed at our facilities using chemical vapor transport or flux zone technique methods.对比
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PdSe2 crystals 二硒化钯晶体 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2023-05-21 浏览次数 8 Bulk PdSe2 （palladium diselenide） has been predicted to exhivit 30 meV bａnd gap which increases to 1.43 eV indirect gap （theoretical）.对比
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ZrSe2 二硒化锆晶体 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2023-05-21 浏览次数 10 ZrSe2 belongs to group-IV TMDCs family and adopts a stable 2H-hexagonal structure.对比
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WSSe 硒化硫钨晶体 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2023-05-21 浏览次数 7 Our WSSe alloys with the chemical formula WS2xSe2（1-x） crystals perfectly crystallize in 2H phase and come at different alloy ratios x.对比
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ReSe2 二硒化铼晶体 （Rhenium Diselenide） 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2023-05-21 浏览次数 10 Single crystal ReSe₂ （Rhenium diselenide） crystals are developed at our facilities using chemical vapor transport or flux zone technique methods after 8 years of growth optimization to ensure anisotro对比
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p-type Bi2Se3 crystals P型硒化铋晶体 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2023-05-21 浏览次数 9 P-type electronically doped Bismuth Selenide （Bi₂Se₃） Developed at our facilities since early 2011 to optimize the perfect stoichiometry and stabilize the topological insulator state.对比
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p-type WSe2 crystals P型二硒化钨晶体 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2023-05-21 浏览次数 6 14 years of growth optimization lead to our flawless n-type WSe2 crystals through Au or Re doping: They are simply treated as gold standards in 2D materials field.对比
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n-type MoSe2 crystals N型二硒化钼晶体 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2023-05-21 浏览次数 7 Years of growth optimization lead to our flawless n-type MoSe2 crystals through Au or Re doping: They are simply treated as gold standards in 2D materials field.对比
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n-type Bi2Se3 crystals N型硒化铋晶体 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2023-05-21 浏览次数 7 Bismuth Selenide （Bi₂Se₃） Developed at our facilities since early 2011 to optimize the perfect stoichiometry and stabilize the topological insulator state.对比
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MoSSe 硒化硫钼晶体 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2023-05-21 浏览次数 7 Our MoSSe alloys with the chemical formula MoS2xSe2（1-x） crystals perfectly crystallize in 2H phase and come at different alloy ratios x.对比
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ZnPSe3 crystals 硒化磷锌晶体 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2023-05-21 浏览次数 5 Magnetic semiconductor ZnPSe3 has a monoclinic structure with the factor group C2h.对比
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PtSe2 二硒化铂晶体 （Platinum Diselenide） 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2023-05-21 浏览次数 5 Platinum diselenide （PtSe2） is a member of transition metal dichalcogenide （TMDCs） family with the MX2 formula.对比
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NbSe2 crystals 二硒化铌晶体 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2023-05-21 浏览次数 6 99% environmentally stable metallic NbSe2 crystals: In the bulk form, niobium diselenide is metallic.对比
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MoSe2 二硒化钼晶体 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2023-05-21 浏览次数 9 Our MoSe2 crystals are grown using two different techniques through chemical vapor transport （CVT） or flux zone growth （see description of these two methods below）.对比
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In2Se3 crystals 三硒化二铟晶体 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2023-05-21 浏览次数 8 In2Se3 single crystals were grown using Physical vapor transport （PVT） as well as Bridgman technique.对比
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GaSe 硒化镓晶体 （Gallium Selenide） 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2023-05-21 浏览次数 10 Unlike other sources, our GaSe crystals are best suited towards electronic and optical applications in 2D materials field.对比
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p-type MoSe2 crystals P型二硒化钼晶体 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2023-05-21 浏览次数 5 More than a decade of growth optimization in chemical vapor transport （CVT） as well as flux growth lead to our flawless MoSe2 crystals.对比
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GeSe 硒化锗晶体 （Germanium Selenide） 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2023-05-21 浏览次数 6 Our single crystal GeSe （Germanium selenide） crystals come with guaranteed optical, electronic, and structural anisotropy.对比
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SnSe 硒化锡晶体 （Tin Selenide） 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2023-05-21 浏览次数 8 In the bulk form SnSe has band-gap at around 0.9 eV （indirect） and 1.25 direct gaps. It has layered structure （lamellar） with weak interlayer coupling, enabling to isolate down to monolayers.对比
