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FS50R07U1E4 电子元器件 Infineon英飞凌 封装IGBT4 - E4 批次22+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 FS50R07U1E4 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-02-26 浏览次数 6 技术参数品牌：Infineon英飞凌型号：FS50R07U1E4封装：IGBT4-E4批次：22+数量：68800RoHS：是产品种类：电子元器件最小工作温度：-20C工作温度：100C最小电源电压：2V电源电压：7对比
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IPW60R037P7 集成电路、处理器、微控制器 INFINEON/英飞凌 封装TO247 批次22+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 IPW60R037P7 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-02-26 浏览次数 6 技术参数品牌：INFINEON/英飞凌型号：IPW60R037P7封装：TO247批次：22+数量：68800RoHS：是产品种类：电子元器件最小工作温度：-30C工作温度：125C最小电源电压：1V电源电压：6V长度：7对比
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FS400R07A1E3 电子元器件 Infineon英飞凌 封装IGBT3 - E3 批次22+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 FS400R07A1E3 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-02-26 浏览次数 9 技术参数品牌：Infineon英飞凌型号：FS400R07A1E3封装：IGBT3-E3批次：22+数量：68800制造商：Infineon产品种类：IGBT模块配置：3-Phase集电极—发射极电压VCEO：650V集电极—射极饱和电压：1对比
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FZ825R33HE4D 电子元器件 Infineon英飞凌 封装IGBT4 - E4 批次22+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 FZ825R33HE4D 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-02-26 浏览次数 8 技术参数品牌：Infineon英飞凌型号：FZ825R33HE4D封装：IGBT4-E4批次：22+数量：68800RoHS：是产品种类：电子元器件最小工作温度：-20C工作温度：125C最小电源电压：4对比
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FS10R06VE3 电子元器件 Infineon英飞凌 封装IGBT3 - E3 批次22+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 FS10R06VE3 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-02-26 浏览次数 7
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FF600R12ME4_B11 集成电路、处理器、微控制器 Infineon英飞凌 封装IGBT4 - E4 批次22+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 FF600R12ME4_B11 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-02-26 浏览次数 8
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FS10R06VE3_B2 电子元器件 Infineon英飞凌 封装IGBT3 - E3 批次22+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 FS10R06VE3_B2 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-02-26 浏览次数 8 技术参数品牌：Infineon英飞凌型号：FS10R06VE3_B2封装：IGBT3-E3批次：22+数量：68800制造商：Infineon产品种类：IGBT模块配置：Hex集电极—发射极电压VCEO：600V在25C的连续集电极电流：16A封装/箱体：EasyPACK750最小工作温度：-40C工作温度：+150C高度：17mm长度：55对比
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FF600R17ME4 集成电路、处理器、微控制器 Infineon英飞凌 封装IGBT4 - E4 批次22+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 FF600R17ME4 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-02-26 浏览次数 10
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DZ3600S17K3_B2 电子元器件 Infineon英飞凌 封装Diode 批次22+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 DZ3600S17K3_B2 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-02-26 浏览次数 9
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FF450R17ME4P 电子元器件 Infineon英飞凌 封装IGBT4 - E4 批次22+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 FF450R17ME4P 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-02-26 浏览次数 7 技术参数品牌：Infineon英飞凌型号：FF450R17ME4P封装：IGBT4-E4批次：22+数量：68800RoHS：是产品种类：电子元器件最小工作温度：-10C工作温度：130C最小电源电压：1V电源电压：7V长度：1对比
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FP30R06W1E3_B11 电子元器件 Infineon英飞凌 封装IGBT3 - E3 批次22+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 FP30R06W1E3_B11 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-02-26 浏览次数 12
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DF650R17IE4 电子元器件 Infineon英飞凌 封装IGBT4 - E4 批次22+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 DF650R17IE4 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-02-26 浏览次数 8
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DF1400R12IP4D 电子元器件 Infineon英飞凌 封装IGBT4 - P4 批次22+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 DF1400R12IP4D 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-02-26 浏览次数 9
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FF300R17ME4 电子元器件 Infineon英飞凌 封装IGBT4 - E4 批次22+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 FF300R17ME4 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-02-26 浏览次数 7
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FD1200R17KE3-K 电子元器件 Infineon英飞凌 封装IGBT3 - E3 批次22+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 FD1200R17KE3-K 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-02-26 浏览次数 7
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FD400R12KE3_B5 集成电路、处理器、微控制器 Infineon英飞凌 封装IGBT3 - E3 批次22+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 FD400R12KE3_B5 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-02-26 浏览次数 6
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FF600R12ME4P 电子元器件 Infineon英飞凌 封装IGBT4 - E4 批次22+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 FF600R12ME4P 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-02-26 浏览次数 7
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FF800R17KP4_B2 电子元器件 Infineon英飞凌 封装IGBT4 - P4 批次22+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 FF800R17KP4_B2 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-02-26 浏览次数 6
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FF800R17KE3 集成电路、处理器、微控制器 Infineon英飞凌 封装IGBT3 - E3 批次22+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 FF800R17KE3 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-02-26 浏览次数 10
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FP10R06W1E3_B11 电子元器件 Infineon英飞凌 封装IGBT3 - E3 批次22+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 FP10R06W1E3_B11 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-02-26 浏览次数 8
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FF900R12IP4V 电子元器件 Infineon英飞凌 封装IGBT4 - P4 批次22+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 FF900R12IP4V 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-02-26 浏览次数 8
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FS450R17KE3 集成电路、处理器、微控制器 Infineon英飞凌 封装IGBT3 - E3 批次22+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 FS450R17KE3 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-02-26 浏览次数 7 技术参数品牌：Infineon英飞凌型号：FS450R17KE3封装：IGBT3-E3批次：22+数量：68800制造商：Infineon产品种类：IGBT模块RoHS：N配置：Hex集电极—发射极电压VCEO：1700V集电极—射极饱和电压：2对比
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DD200S33K2C 电子元器件 Infineon英飞凌 封装Diode 批次22+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 DD200S33K2C 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-02-26 浏览次数 9
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DD800S33K2C 电子元器件 Infineon英飞凌 封装Diode 批次22+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 DD800S33K2C 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-02-26 浏览次数 7 技术参数品牌：Infineon英飞凌型号：DD800S33K2C封装：Diode批次：22+数量：68800RoHS：是产品种类：电子元器件最小工作温度：-50C工作温度：90C最小电源电压：4对比
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FS15R06VE3_B2 集成电路、处理器、微控制器 Infineon英飞凌 封装IGBT3 - E3 批次22+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 FS15R06VE3_B2 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-02-26 浏览次数 9 技术参数品牌：Infineon英飞凌型号：FS15R06VE3_B2封装：IGBT3-E3批次：22+数量：68800制造商：Infineon产品种类：IGBT模块配置：IGBT-Inverter集电极—发射极电压VCEO：600V集电极—射极饱和电压：1对比
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FS75R07U1E4 电子元器件 Infineon英飞凌 封装IGBT4 - E4 批次22+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 FS75R07U1E4 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-02-26 浏览次数 9 技术参数品牌：Infineon英飞凌型号：FS75R07U1E4封装：IGBT4-E4批次：22+数量：68800制造商：Infineon产品种类：IGBT模块RoHS：是配置：6-Pack集电极—发射极电压VCEO：650V集电极—射极饱和电压：1对比
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FS450R12KE4 集成电路、处理器、微控制器 Infineon英飞凌 封装IGBT4 - E4 批次22+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 FS450R12KE4 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-02-26 浏览次数 7
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FS150R12KE3G 电子元器件 Infineon英飞凌 封装IGBT3 - E3 批次22+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 FS150R12KE3G 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-02-26 浏览次数 8 技术参数品牌：Infineon英飞凌型号：FS150R12KE3G封装：IGBT3-E3批次：22+数量：68800制造商：Infineon产品种类：IGBT模块RoHS：N配置：Hex集电极—发射极电压VCEO：1200V集电极—射极饱和电压：1对比
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FZ600R12KS4 集成电路、处理器、微控制器 Infineon英飞凌 封装IGBT2 Fast 批次22+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 FZ600R12KS4 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-02-26 浏览次数 8 技术参数品牌：Infineon英飞凌型号：FZ600R12KS4封装：IGBT2Fast批次：22+数量：68800制造商：Infineon产品种类：IGBT模块RoHS：是配置：Single集电极—发射极电压VCEO：1200V集电极—射极饱和电压：3对比
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FS300R12KE3 电子元器件 Infineon英飞凌 封装IGBT3 - E3 批次22+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 FS300R12KE3 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-02-26 浏览次数 8 技术参数品牌：Infineon英飞凌型号：FS300R12KE3封装：IGBT3-E3批次：22+数量：68800制造商：Infineon产品种类：IGBT模块RoHS：N配置：Hex集电极—发射极电压VCEO：1200V集电极—射极饱和电压：1对比
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FS225R12KE4 电子元器件 Infineon英飞凌 封装IGBT4 - E4 批次22+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 FS225R12KE4 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-02-26 浏览次数 7
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BYM300B170DN2 电子元器件 Infineon英飞凌 封装Diode 批次22+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 BYM300B170DN2 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-02-26 浏览次数 6
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FF225R17ME4 集成电路、处理器、微控制器 Infineon英飞凌 封装IGBT4 - E4 批次22+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 FF225R17ME4 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-02-26 浏览次数 9 技术参数品牌：Infineon英飞凌型号：FF225R17ME4封装：IGBT4-E4批次：22+数量：68800制造商：Infineon产品种类：IGBT模块配置：Dual集电极—发射极电压VCEO：1700V集电极—射极饱和电压：1对比
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FS225R17KE3 集成电路、处理器、微控制器 Infineon英飞凌 封装IGBT3 - E3 批次22+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 FS225R17KE3 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-02-26 浏览次数 10 技术参数品牌：Infineon英飞凌型号：FS225R17KE3封装：IGBT3-E3批次：22+数量：68800制造商：Infineon产品种类：IGBT模块RoHS：N配置：Hex集电极—发射极电压VCEO：1700V集电极—射极饱和电压：2V在25C的连续集电极电流：340A栅极—射极漏泄电流：400nAPd-功率耗散：1对比
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FS75R12KS4 集成电路、处理器、微控制器 Infineon英飞凌 封装IGBT2 Fast 批次22+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 FS75R12KS4 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-02-26 浏览次数 7 技术参数品牌：Infineon英飞凌型号：FS75R12KS4封装：IGBT2Fast批次：22+数量：68800制造商：Infineon产品种类：IGBT模块RoHS：N配置：Hex集电极—发射极电压VCEO：1200V集电极—射极饱和电压：3对比
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FF450R12ME3 集成电路、处理器、微控制器 Infineon英飞凌 封装IGBT3 - E3 批次22+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 FF450R12ME3 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-02-26 浏览次数 5 技术参数品牌：Infineon英飞凌型号：FF450R12ME3封装：IGBT3-E3批次：22+数量：68800制造商：Infineon产品种类：IGBT模块RoHS：是配置：Dual集电极—发射极电压VCEO：1200V集电极—射极饱和电压：1对比
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FF1200R17KP4_B2 电子元器件 Infineon英飞凌 封装IGBT4 - P4 批次22+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 FF1200R17KP4_B2 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-02-26 浏览次数 9
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FZ400R12KE3 集成电路、处理器、微控制器 Infineon英飞凌 封装IGBT3 - E3 批次22+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 FZ400R12KE3 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-02-26 浏览次数 7 技术参数品牌：Infineon英飞凌型号：FZ400R12KE3封装：IGBT3-E3批次：22+数量：68800制造商：Infineon产品种类：IGBT模块RoHS：N配置：Single集电极—发射极电压VCEO：1200V集电极—射极饱和电压：1对比
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FS20R06VE3 电子元器件 Infineon英飞凌 封装IGBT3 - E3 批次22+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 FS20R06VE3 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-02-26 浏览次数 7 技术参数品牌：Infineon英飞凌型号：FS20R06VE3封装：IGBT3-E3批次：22+数量：68800制造商：Infineon产品种类：IGBT模块配置：IGBT-Inverter集电极—发射极电压VCEO：600V集电极—射极饱和电压：1对比
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FD400R33KF2C-K 集成电路、处理器、微控制器 Infineon英飞凌 封装IGBT2 批次22+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 FD400R33KF2C-K 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-02-26 浏览次数 8
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FD800R33KF2C-K 集成电路、处理器、微控制器 Infineon英飞凌 封装IGBT2 批次22+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 FD800R33KF2C-K 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-02-26 浏览次数 8
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FS20R06VE3_B2 集成电路、处理器、微控制器 Infineon英飞凌 封装IGBT3 - E3 批次22+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 FS20R06VE3_B2 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-02-26 浏览次数 10 技术参数品牌：Infineon英飞凌型号：FS20R06VE3_B2封装：IGBT3-E3批次：22+数量：68800制造商：Infineon产品种类：IGBT模块配置：Hex集电极—发射极电压VCEO：600V在25C的连续集电极电流：25A封装/箱体：EASY750最小工作温度：-40C工作温度：+150C高度：12mm长度：35对比
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FF900R12IP4DV 电子元器件 Infineon英飞凌 封装IGBT4 - P4 批次22+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 FF900R12IP4DV 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-02-25 浏览次数 8
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DD400S33K2C 电子元器件 Infineon英飞凌 封装Diode 批次22+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 DD400S33K2C 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-02-25 浏览次数 7
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PSS25S73FT IGBT MITSUBISHI三菱 封装DIPIPM 批次22+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 PSS25S73FT 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-02-25 浏览次数 6 技术参数品牌：MITSUBISHI三菱型号：PSS25S73FT封装：DIPIPM批次：22+数量：29375RoHS：是产品种类：电子元器件最小工作温度：-40C工作温度：125C最小电源电压：2对比
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CM750HG-130R 电子元器件 MITSUBISHI三菱 封装MODULES 批次22+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 CM750HG-130R 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-02-25 浏览次数 8 技术参数品牌：MITSUBISHI三菱型号：CM750HG-130R封装：MODULES批次：22+数量：68800RoHS：是产品种类：电子元器件最小工作温度：-50C工作温度：80C最小电源电压：4对比
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FF1200R12KE3 集成电路、处理器、微控制器 Infineon英飞凌 封装IGBT3 - E3 批次22+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 FF1200R12KE3 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-02-25 浏览次数 9 技术参数品牌：Infineon英飞凌型号：FF1200R12KE3封装：IGBT3-E3批次：22+数量：68800制造商：Infineon产品种类：IGBT模块RoHS：N配置：Dual集电极—发射极电压VCEO：1200V集电极—射极饱和电压：1对比
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FZ1800R17HP4_B9 电子元器件 Infineon英飞凌 封装IGBT4 - P4 批次22+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 FZ1800R17HP4_B9 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-02-25 浏览次数 10
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FZ900R12KE4 电子元器件 Infineon英飞凌 封装IGBT4 - E4 批次22+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 FZ900R12KE4 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-02-25 浏览次数 6 技术参数品牌：Infineon英飞凌型号：FZ900R12KE4封装：IGBT4-E4批次：22+数量：68800制造商：Infineon产品种类：IGBT模块RoHS：是集电极—发射极电压VCEO：1200V集电极—射极饱和电压：2对比
