技术参数
品牌: | IXYS |
型号: | IXFA18N60X |
批号: | 21+ |
封装: | |
数量: | 30000 |
QQ: | 822127675 |
制造商: | IXYS |
产品种类: | MOSFET |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | TO-263AA-3 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 600 V |
Id-连续漏极电流: | 18 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 230 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 30 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 2.5 V |
Qg-栅极电荷: | 35 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 320 W |
通道模式: | Enhancement |
配置: | Single |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
下降时间: | 24 ns |
上升时间: | 30 ns |
典型关闭延迟时间: | 63 ns |
典型接通延迟时间: | 20 ns |
所有评论仅代表网友意见,与本站立场无关。