JJF1256-2010 X射线单晶体定向仪校准规范
货号AUBAT-1256X
校准晶体
材料为 SiO2,(石英),衍射晶面为 1011 面。铜靶X射线管,特征谱线Kα辐射,衍射角为 13°20'。晶面 (1011) 与 A、B 面角度误差 (四点平均值) 不超出士5",是被测量晶体晶面角度误差的 1/3。
本校准规范适用于铜靶实际焦点 (1X4) mm X 射线管的单晶体和加单色器双晶体X 射线定向仪的校准。定向仪是对单晶体各晶面在空间相互排列角度进行精密测定的一种检测仪器主要由测角仪、X 射线发生器和探测放大记录仪三部分组成。所谓双晶体定向仪是用单晶体衍射线 (单色器) 取代狭缝透过射线的一种定向仪。
计量性能要求
1 空气比释动能率
低于初始剂量的 80%,X 射线管寿命到期。
2 测角仪样品轴转角示值误差
2.1 相邻 5°样品轴转角示值误差不大于 10"(**值)。
2.2 在样品轴旋转范围内转角示值误差不大于 30"(**值)。
3 综合误差
单晶体定向仪综合误差士2'
双晶体定向仪综合误差士30"
4漏散射线空气比释动能率
在额定工作条件下,距X 射线管焦点 100 mm 处,散漏射线空气比释动能率≦1.74X10-3 cGy/h。
注: cGv/h 是比释动能率剂量单位
5测量重复性≤2%
校准方法:
综合误差
校准过程按如下步骤进行 :
步骤一: 将定向仪调到正常工作状态,装上 4'狭缝 (双晶体定向仪不加狭缝)。把SiO2,(石英) 标准晶体装在样品架上,在额定管电压 30 kV、管电流 1 mA 条件下,调整样品架转角,使微安表示值*大,调整计数率仪,使微安表的示值不小干满刻度的 95%;起始为满刻度 10%。设置角度示值为 13°20’(铜靶 X 射线管,SiO2,(1011)晶面 K.衍射角)。
步骤二: 在微安表上分别记录下 I2(峰值) 和 I1 (本底) 的示值。I2 -I1=峰高值,半峰高为峰高值的一半。
步骤三: 使角度指示值恢复到 13°20 (I),顺时针转动测角仪手轮使微安表指示值下降到峰高一半,此时角度指示值。再逆时针转动测角仪手轮,使微安表的指示值再次下降到峰高的一半,此时角度指示值。计算定向仪综合误差。
货号AUBAT-1256X
校准晶体
材料为 SiO2,(石英),衍射晶面为 1011 面。铜靶X射线管,特征谱线Kα辐射,衍射角为 13°20'。晶面 (1011) 与 A、B 面角度误差 (四点平均值) 不超出士5",是被测量晶体晶面角度误差的 1/3。
本校准规范适用于铜靶实际焦点 (1X4) mm X 射线管的单晶体和加单色器双晶体X 射线定向仪的校准。定向仪是对单晶体各晶面在空间相互排列角度进行精密测定的一种检测仪器主要由测角仪、X 射线发生器和探测放大记录仪三部分组成。所谓双晶体定向仪是用单晶体衍射线 (单色器) 取代狭缝透过射线的一种定向仪。
计量性能要求
1 空气比释动能率
低于初始剂量的 80%,X 射线管寿命到期。
2 测角仪样品轴转角示值误差
2.1 相邻 5°样品轴转角示值误差不大于 10"(**值)。
2.2 在样品轴旋转范围内转角示值误差不大于 30"(**值)。
3 综合误差
单晶体定向仪综合误差士2'
双晶体定向仪综合误差士30"
4漏散射线空气比释动能率
在额定工作条件下,距X 射线管焦点 100 mm 处,散漏射线空气比释动能率≦1.74X10-3 cGy/h。
注: cGv/h 是比释动能率剂量单位
5测量重复性≤2%
校准方法:
综合误差
校准过程按如下步骤进行 :
步骤一: 将定向仪调到正常工作状态,装上 4'狭缝 (双晶体定向仪不加狭缝)。把SiO2,(石英) 标准晶体装在样品架上,在额定管电压 30 kV、管电流 1 mA 条件下,调整样品架转角,使微安表示值*大,调整计数率仪,使微安表的示值不小干满刻度的 95%;起始为满刻度 10%。设置角度示值为 13°20’(铜靶 X 射线管,SiO2,(1011)晶面 K.衍射角)。
步骤二: 在微安表上分别记录下 I2(峰值) 和 I1 (本底) 的示值。I2 -I1=峰高值,半峰高为峰高值的一半。
步骤三: 使角度指示值恢复到 13°20 (I),顺时针转动测角仪手轮使微安表指示值下降到峰高一半,此时角度指示值。再逆时针转动测角仪手轮,使微安表的指示值再次下降到峰高的一半,此时角度指示值。计算定向仪综合误差。
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