型号:IRFP250NPBF
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-247-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:200 V
Id-连续漏极电流:30 A
Rds On-漏源导通电阻:75 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:20 V
Qg-栅极电荷:82 nC
最小工作温度:- 55 C
工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:214 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封装:Tube
高度:20.7 mm
长度:15.87 mm
晶体管类型:1 N-Channel
宽度:5.31 mm
正向跨导 - 最小值:17 S
下降时间:33 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:43 ns
工厂包装数量:300
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:41 ns
典型接通延迟时间:14 ns
单位重量:5.600 g
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