产品简介
技术参数品牌:VISHAY型号:SI2309CDS-T1-GE3封装:SOT23-3批次:21+数量:6000类别:分立半导体产品晶体管-FET
详情介绍
技术参数
品牌: | VISHAY |
型号: | SI2309CDS-T1-GE3 |
封装: | SOT23-3 |
批次: | 21+ |
数量: | 6000 |
类别: | 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 |
制造商: | Vishay Siliconix |
系列: | TrenchFET® |
FET 类型: | P 通道 |
漏源电压(Vdss): | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 1.6A(Tc) |
驱动电压( Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值): | 345 毫欧 @ 1.25A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(值): | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值): | 4.1 nC @ 4.5 V |
Vgs(值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值): | 210 pF @ 30 V |
功率耗散(值): | 1W(Ta),1.7W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
- 上一篇: SDC49EJTR-E1 电子元器件 SDC 封装SOT-
- 下一篇: 74HC04D 通用逻辑门芯片 Nexperia 封装
所有评论仅代表网友意见,与本站立场无关。