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NCE3401 NCE P沟道增强型功率MOSFET描述nce 3401采用的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压。该器件适合用作负载开关或PWM应用。 S G D一般特性 ● VDS = -30V，ID = -4.2A RDS(开)< 70m @ VGS=-4.5V RDS(开) < 60m @ VGS=-10V ●高功率和电流处理能力 ●获得无铅产品 ●表面贴装封装示意图标记和引脚分配应用 ●PWM应用 ●负载开关 ●电源管理SOT-23俯视图封装标记和订购信息器件标记3401器件NCE3401器件封装SOT-23卷盘尺寸180mm带宽8 mm数量3000单位额定值(TA = 25 ℃,除非另有说明)参数符号漏极-源极电压VDS栅
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