技术参数
品牌: | ON |
型号: | NTD25P03LT4G |
批号: | 20+ |
封装: | |
数量: | 12000 |
QQ: | |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技术: | Si |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | TO-252-4 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | P-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 30 V |
Id-连续漏极电流: | 25 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 80 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 5 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 1 V |
Qg-栅极电荷: | 15 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 75 W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
封装: | Cut Tape |
封装: | MouseReel |
封装: | Reel |
高度: | 2.38 mm |
长度: | 6.73 mm |
系列: | NTD25P03L |
晶体管类型: | 1 P-Channel |
类型: | MOSFET |
宽度: | 6.22 mm |
商标: | ON Semiconductor |
正向跨导 - 最小值: | 13 S |
下降时间: | 16 ns |
产品类型: | MOSFET |
上升时间: | 37 ns |
工厂包装数量: | 2500 |
子类别: | MOSFETs |
典型关闭延迟时间: | 15 ns |
典型接通延迟时间: | 9 ns |
单位重量: | 4 g |
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