技术参数
| 品牌： | DIODES |
| 型号： | DMG1013UW-7 |
| 批号： | 19+ |
| 封装： | |
| 数量： | 9356 |
| QQ： | |
| 制造商： | Diodes Incorporated |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技术： | Si |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SOT-323-3 |
| 晶体管极性： | P-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 20 V |
| Id-连续漏极电流： | 820 mA |
| Rds On-漏源导通电阻： | 750 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 6 V, + 6 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 500 mV |
| Qg-栅极电荷： | 622.4 pC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 310 mW |
| 通道模式： | Enhancement |
| 封装： | Cut Tape |
| 封装： | MouseReel |
| 封装： | Reel |
| 配置： | Single |
| 产品： | MOSFET Small Signal |
| 系列： | DMG1013 |
| 晶体管类型： | 1 P-Channel |
| 商标： | Diodes Incorporated |
| 下降时间： | 20.7 ns |
| 产品类型： | MOSFET |
| 上升时间： | 8.1 ns |
| 工厂包装数量： | 3000 |
| 子类别： | MOSFETs |
| 典型关闭延迟时间： | 28.4 ns |
| 典型接通延迟时间： | 5.1 ns |
| 单位重量： | 6 mg |
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