产品简介
技术参数品牌:DIODES型号:ZXMS6004FFQTA批号:18+封装:数量:9000QQ:制造商:DiodesIncorporated产品种类:MOSFETRoHS:是技术:Si安装风格:SMD/SMT封装/箱体:SOT-23F-3通道数量:1Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:60VId-连续漏极电流:1
详情介绍
技术参数
品牌: | DIODES |
型号: | ZXMS6004FFQTA |
批号: | 18+ |
封装: |
数量: | 9000 |
QQ: | |
制造商: | Diodes Incorporated |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技术: | Si |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SOT-23F-3 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 60 V |
Id-连续漏极电流: | 1.3 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 500 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 5 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 700 mV |
最小工作温度: | - 40 C |
工作温度: | + 125 C |
Pd-功率耗散: | 1.5 W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
资格: | AEC-Q101 |
商标名: | IntelliFET |
封装: | Cut Tape |
封装: | MouseReel |
封装: | Reel |
系列: | ZXMS6004 |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
商标: | Diodes Incorporated |
下降时间: | 15 us |
产品类型: | MOSFET |
上升时间: | 10 us |
工厂包装数量: | 3000 |
子类别: | MOSFETs |
典型关闭延迟时间: | 45 us |
典型接通延迟时间: | 5 us |
- 上一篇: ON 运算放大器及比较器 MC33172DR2G 运
- 下一篇: ADI 集成电路、处理器、微控制器 ADM48
所有评论仅代表网友意见,与本站立场无关。