产品简介
技术参数品牌:ON(安森美)型号:FDD4141批号:19+封装:TO252数量:1986QQ:描述:MOSFETP-CH40V10
详情介绍
技术参数
品牌: | ON(安森美) |
型号: | FDD4141 |
批号: | 19+ |
封装: | TO252 |
数量: | 1986 |
QQ: | |
描述: | MOSFET P-CH 40V 10.8A DPAK |
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况: | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
湿气敏感性等级 (MSL): | 1(无限) |
原厂标准交货期: | 25 周 |
详细描述: | 表面贴装型-P-通道-40V-10.8A(Ta)-50A(Tc)-2.4W(Ta)-69W(Tc)-D-PAK(TO-252AA) |
数据列表: | FDD4141; |
标准包装: | 2,500 |
包装: | 标准卷带 |
零件状态: | 有源 |
类别: | 分立半导体产品 |
产品族: | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 |
系列: | PowerTrench® |
其它名称: | FDD4141-ND |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 40V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 10.8A(Ta),50A(Tc) |
驱动电压( Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值): | 12.3 毫欧 @ 12.7A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(值): | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值): | 50nC @ 10V |
Vgs(值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值): | 2775pF @ 20V |
FET 功能: | - |
功率耗散(值): | 2.4W(Ta),69W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | D-PAK(TO-252AA) |
封装/外壳: | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
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