产品简介
技术参数品牌：ST型号：STP45N10F7批号：封装：TO220数量：5774QQ：制造商：STMicroelectronics系列：DeepGATE™,STripFET™VIIFET类型：N通道技术：MOSFET（金属氧化物）25°C时电流-连续漏极(Id)：45A（Tc）驱动电压（RdsOn
详情介绍
技术参数
| 品牌： | ST |
| 型号： | STP45N10F7 |
| 批号： |
| 封装： | TO220 |
| 数量： | 5774 |
| QQ： | |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 系列： | DeepGATE™, STripFET™ VII |
| FET 类型： | N 通道 |
| 技术： | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： | 45A（Tc） |
| 驱动电压（ Rds On，最小 Rds On）： | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）： | 18 毫欧 @ 22.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（值）： | 4.5V @ 250µA |
| Vgs（值）： | 20V |
| 功率耗散（值）： | 60W（Tc） |
| 工作温度： | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型： | 通孔 |
| 供应商器件封装： | TO-220 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 漏源电压（Vdss）： | 100 V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）： | 25 nC @ 10 V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）： | 1640 pF @ 50 V |
| 基本产品编号： | STP45 |
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