技术参数
品牌: | VISHAY威世 |
型号: | SISH402DN-T1-GE3 |
批号: | 19+ |
封装: | 77 |
数量: | 88888 |
QQ: | |
制造商: | Vishay |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技术: | Si |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | PowerPAK-1212-8 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 30 V |
Id-连续漏极电流: | 35 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 6 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 1.15 V |
Qg-栅极电荷: | 42 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 52 W |
通道模式: | Enhancement |
商标名: | TrenchFET, PowerPAK |
封装: | Cut Tape |
封装: | MouseReel |
封装: | Reel |
配置: | Single |
系列: | SIS |
商标: | Vishay Semiconductors |
正向跨导 - 最小值: | 82 S |
下降时间: | 15 ns |
产品类型: | MOSFET |
上升时间: | 20 ns |
工厂包装数量: | 3000 |
子类别: | MOSFETs |
典型关闭延迟时间: | 25 ns |
典型接通延迟时间: | 25 ns |
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