产品简介
技术参数品牌:ST意法型号:STGW40H65DFB批号:19+封装:TO-247-3数量:88888QQ:制造商:STMicroelectronics产品种类:IGBT晶体管RoHS:是技术:Si封装/箱体:TO-247-3安装风格:ThroughHole配置:Single集电极—发射极电压VCEO:650V集电极—射极饱和电压:1
详情介绍
技术参数
品牌: | ST意法 |
型号: | STGW40H65DFB |
批号: | 19+ |
封装: | TO-247-3 |
数量: | 88888 |
QQ: | |
制造商: | STMicroelectronics |
产品种类: | IGBT 晶体管 |
RoHS: | 是 |
技术: | Si |
封装 / 箱体: | TO-247-3 |
安装风格: | Through Hole |
配置: | Single |
集电极—发射极电压 VCEO: | 650 V |
集电极—射极饱和电压: | 1.8 V |
栅极/发射极电压: | 20 V |
在25 C的连续集电极电流: | 80 A |
Pd-功率耗散: | 283 W |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 175 C |
系列: | STGW40H65DFB |
封装: | Tube |
集电极连续电流 Ic: | 40 A |
商标: | STMicroelectronics |
栅极—射极漏泄电流: | 250 nA |
产品类型: | IGBT Transistors |
工厂包装数量: | 600 |
子类别: | IGBTs |
单位重量: | 38 g |
- 上一篇: TPS62160DSGR 采用 2x2 QFN 封装的 3-1
- 下一篇: TAJE477K010RNJ AVX原装电容器
所有评论仅代表网友意见,与本站立场无关。