技术参数
品牌: | TI |
型号: | CSD17570Q5B |
批号: | 19+ |
封装: | QFN |
数量: | 88888 |
QQ: | |
制造商: | Texas Instruments |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | VSON-CLIP-8 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 30 V |
Id-连续漏极电流: | 100 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 740 uOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 1.5 V |
Qg-栅极电荷: | 93 nC |
配置: | Single |
高度: | 1 mm |
长度: | 6 mm |
系列: | CSD17570Q5B |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
宽度: | 5 mm |
单位重量: | 146 mg |
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