产品简介
技术参数品牌:VISHAY型号:SI2316BDS-T1-E3封装:SOT23批次:2021数量:20000制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:TO-236-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1ChannelVds-漏源极击穿电压:30VId-连续漏极电流:4
详情介绍
技术参数
品牌: | VISHAY |
型号: | SI2316BDS-T1-E3 |
封装: | SOT23 |
批次: | 2021 |
数量: | 20000 |
制造商: | Vishay |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | TO-236-3 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 30 V |
Id-连续漏极电流: | 4.5 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 50 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 3 V |
Qg-栅极电荷: | 6.35 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 1.66 W |
通道模式: | Enhancement |
配置: | Single |
系列: | SI2 |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
正向跨导 - 最小值: | 6 S |
下降时间: | 7 ns |
上升时间: | 11 ns |
典型关闭延迟时间: | 12 ns |
典型接通延迟时间: | 4.5 ns |
零件号别名: | SI2316BDS-E3 |
单位重量: | 8 mg |
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