产品简介
技术参数品牌:ON型号:NTR4101PT1G封装:SOT-323批次:2021数量:20000制造商:ONSemiconductor产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:SOT-23-3通道数量:1Channel晶体管极性:P-ChannelVds-漏源极击穿电压:20VId-连续漏极电流:2
详情介绍
技术参数
品牌: | ON |
型号: | NTR4101PT1G |
封装: | SOT-323 |
批次: | 2021 |
数量: | 20000 |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SOT-23-3 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | P-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 20 V |
Id-连续漏极电流: | 2.4 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 85 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 8 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | - 1.2 V |
Qg-栅极电荷: | 7.5 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 0.73 W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
高度: | 0.94 mm |
长度: | 2.9 mm |
系列: | NTR4101P |
晶体管类型: | 1 P-Channel |
宽度: | 1.3 mm |
正向跨导 - 最小值: | 7.5 S |
下降时间: | 21 ns |
上升时间: | 12.6 ns |
典型关闭延迟时间: | 30.2 ns |
典型接通延迟时间: | 7.5 ns |
单位重量: | 8 mg |
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