产品简介
技术参数品牌:ON型号:NTR5198NLT1G封装:SOT-23-3批次:2021数量:20000描述:MOSFETN-CH60V1
详情介绍
技术参数
品牌: | ON |
型号: | NTR5198NLT1G |
封装: | SOT-23-3 |
批次: | 2021 |
数量: | 20000 |
描述: | MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23 |
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况: | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
湿气敏感性等级 (MSL): | 1(无限) |
原厂标准交货期: | 18 周 |
详细描述: | 表面贴装型-N-通道-60V-1.7A(Ta)-900mW(Ta)-SOT-23-3(TO-236) |
数据列表: | NTR5198NL; |
标准包装: | 3,000 |
包装: | 标准卷带 |
零件状态: | 有源 |
类别: | 分立半导体产品 |
产品族: | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 |
系列: | - |
其它名称: | NTR5198NLT1GOSTR |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 60V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 1.7A(Ta) |
驱动电压( Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值): | 155 毫欧 @ 1A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(值): | 2.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值): | 2.8nC @ 4.5V |
Vgs(值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值): | 182pF @ 25V |
FET 功能: | - |
功率耗散(值): | 900mW(Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | SOT-23-3(TO-236) |
封装/外壳: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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