技术参数
品牌: | ST/意法半导体 |
型号: | STGIPQ3H60T-HL |
封装: | N/A |
批次: | 全新 |
数量: | 13500 |
制造商: | STMicroelectronics |
产品种类: | IGBT 模块 |
RoHS: | 是 |
配置: | Half Bridge |
集电极—发射极电压 VCEO: | 600 V |
集电极—射极饱和电压: | 2.15 V |
在25 C的连续集电极电流: | 3 A |
封装 / 箱体: | N2DIP-26 |
工作温度: | + 175 C |
系列: | STGIPQ3H60T-HL |
安装风格: | Through Hole |
单位重量: | 4 mg |
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