产品简介
技术参数品牌：ON型号：MMBFJ175LT1G批号：15+封装：NA数量：10QQ：制造商：ONSemiconductorFET类型：P通道不同Vds时输入电容(Ciss)（值）：11pF@10V（VGS）工作温度：-55°C~150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳：TO-236-3
详情介绍
技术参数
| 品牌： | ON |
| 型号： | MMBFJ175LT1G |
| 批号： | 15+ |
| 封装： | NA |
| 数量： | 10 |
| QQ： | |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| FET 类型： | P 通道 |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）： | 11pF @ 10V（VGS） |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商器件封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： | 30 V |
| 电阻 - RDS(On)： | 125 Ohms |
| 功率 - 值： | 225 mW |
| 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： | 7 mA @ 15 V |
| 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： | 3 V @ 10 nA |
| 基本产品编号： | MMBFJ175 |
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