概述
该产品采用H桥电路结构设计，内部集成N沟道和P沟道功率MOSFET，特别适合驱动线圈、马达等感性负载。
电路内部集成过温保护，当电路内部温度超过设定值时(典型值150℃)，关断负载电流。当电路的结温下降到预设温度(典型值130℃)时，
电路返回正常工作状态；但电路不具有短路保护功能，当输出对地短路、输出对电源短路、输出端短路时易导致电路损坏，使用时应避免发生短路，或者加入限流措施避免发生类似损坏。
逻辑控制电源VCC与功率电源VDD内部独立，实际使用中应分开布线，禁止将VCC与VDD直接接到一起，以防止VDD高压对电路VCC端
造成损伤。
在电子锁等应用中，当逻辑输入信号INA//INB的高电平电压大于2.4V时，VCC可以悬空。
特性
低待机电流(小于0.1uA)
工作电压范围：2V-8V
持续输出电流：1.0A(VDD=6.5V)
峰值输出电流：1.5A(VDD=6.5V)
低导通内阻
—800毫安输出电流时，内阻0.38欧姆
—200毫安输出电流时，内阻0.35欧姆
较小的输入电流
— 逻辑输入INA//INB集成15K对地下拉电阻
内置带迟滞效应的过热保护电路(TSD)
抗静电等级：3KV (HBM)
应用范围
2-4节AA/AAA干电池供电的玩具马达驱动
2-5节镍-氢/镍-镉充电电池供电的玩具马达驱动
1节锂电池供电的马达驱动
电子锁
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