一、特性
2、低导通内阻 MOSFET 功率开关管
— 采用 MOS 工艺设计功率管
— 1 通道 1.6 安功率管内阻 0.32 欧姆
— 2 通道 1.6 安功率管内阻 0.32 欧姆
3、内部集成续流二极管
— 无需外接续流二极管
4、较小的输入电流
— 集成约 15K 对地下拉电阻
— 3V 驱动信号平均 190uA 输入电流
5、内置带迟滞效应的过热保护电路 (TSD)
6、抗静电等级:3KV (HBM)
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一、特性1、低待机电流 (小于 0
一、特性
2、低导通内阻 MOSFET 功率开关管
— 采用 MOS 工艺设计功率管
— 1 通道 1.6 安功率管内阻 0.32 欧姆
— 2 通道 1.6 安功率管内阻 0.32 欧姆
3、内部集成续流二极管
— 无需外接续流二极管
4、较小的输入电流
— 集成约 15K 对地下拉电阻
— 3V 驱动信号平均 190uA 输入电流
5、内置带迟滞效应的过热保护电路 (TSD)
6、抗静电等级:3KV (HBM)
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