一、概述：
该产品采用 H 桥电路结构设计，采用高可靠性功率管工艺，特别适合驱动线圈、马达等感性负载。电路内部集成 N 沟道和 P 沟道功率 MOSFET，工作电压范围覆盖 2V 到 7V。27℃，VDD=5V 条件下持续输出电流达到0.6A，峰值输出电流达到1A。
该单路为功率器件，本身具备一定内阻，电路的发热与负载电流、功率管导通内阻以及环境温度密切相关。电路设计有芯片级温度检测电路，实时监控芯片内部发热，当芯片内部温度超过设定值时(典型值 150℃)，产生功率管关断信号，关闭负载电流，避免因异常使用导致的温度持续升高，进而造成塑料封装冒烟、起火等严重安全事故。芯片内置的温度迟滞电路，确保电路恢复到温度后，才允许重新对功率管进行控制。
二、特性：
1、低待机电流 (小于 0.1uA)
2、低导通内阻 MOSFET 功率开关管
— 采用 MOS 工艺设计功率管
— 100 毫安通道功率管内阻 0.7 欧姆
— 500 毫安通道功率管内阻 0.8 欧姆
3、内部集成续流二极管
— 无需外接续流二极管
4、超小型封装尺寸
— 采用 SOT23-6 封装
— 含引脚外形尺寸 2.92mm*2.8mm
5、较小的输入电流
— 集成约 53K 对地下拉电阻
— 3V 驱动信号平均56.5uA 输入电流
6、内置带迟滞效应的过热保护电路 (TSD)
7、抗静电等级：3KV (HBM)
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