产品简介
技术参数品牌:ON型号:FQP33N10封装:TO220批次:21+数量:6000类别:分立半导体产品晶体管-FET
详情介绍
技术参数
品牌: | ON |
型号: | FQP33N10 |
封装: | TO220 |
批次: | 21+ |
数量: | 6000 |
类别: | 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 |
制造商: | onsemi |
系列: | QFET® |
FET 类型: | N 通道 |
漏源电压(Vdss): | 100 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 33A(Tc) |
驱动电压( Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值): | 52 毫欧 @ 16.5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(值): | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值): | 51 nC @ 10 V |
Vgs(值): | ±25V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值): | 1500 pF @ 25 V |
功率耗散(值): | 127W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
封装/外壳: | TO-220-3 |
- 上一篇: STL110N10F7 场效应管 ST 封装DFN5x6
- 下一篇: SC7660TR 电子元器件 SILAN 封装LGA-10
所有评论仅代表网友意见,与本站立场无关。