技术参数
品牌: | ON |
型号: | NTZD5110NT1G |
批号: | 09+ROHS |
封装: | SOT-563 |
数量: | 8000 |
QQ: | |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SOT-563-6 |
通道数量: | 2 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 60 V |
Id-连续漏极电流: | 294 mA |
Rds On-漏源导通电阻: | 1.6 Ohms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 250 mW |
配置: | Dual |
通道模式: | Enhancement |
高度: | 0.55 mm |
长度: | 1.6 mm |
系列: | NTZD5110N |
晶体管类型: | 2 N-Channel |
宽度: | 1.2 mm |
下降时间: | 7.3 ns |
上升时间: | 7.3 ns |
典型关闭延迟时间: | 63.7 ns |
典型接通延迟时间: | 12 ns |
单位重量: | 3 mg |
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