技术参数
品牌: | ON |
型号: | NVMFS5C423NLT1G |
封装: | DFN |
批次: | 21+ |
数量: | 3610 |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技术: | Si |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SO-FL-8 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 40 V |
Id-连续漏极电流: | 150 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 3 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 1.2 V |
Qg-栅极电荷: | 50 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 175 C |
Pd-功率耗散: | 83 W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
资格: | AEC-Q101 |
晶体管类型: | 1 N-channel |
商标: | ON Semiconductor |
正向跨导 - 最小值: | 140 S |
下降时间: | 8.4 ns |
产品类型: | MOSFET |
上升时间: | 72 ns |
工厂包装数量: | 1500 |
子类别: | MOSFETs |
典型关闭延迟时间: | 26 ns |
典型接通延迟时间: | 12 ns |
单位重量: | 107.200 mg |
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