产品简介
技术参数品牌:DIODES型号:DMN2016UTS-13批号:2019+封装:TSSOP8数量:20000QQ:制造商:DiodesIncorporated产品种类:MOSFETRoHS:是技术:Si安装风格:SMD/SMT封装/箱体:TSSOP-8晶体管极性:N-Channel通道数量:2ChannelVds-漏源极击穿电压:20VId-连续漏极电流:8
详情介绍
技术参数
品牌: | DIODES |
型号: | DMN2016UTS-13 |
批号: | 2019+ |
封装: | TSSOP8 |
数量: | 20000 |
QQ: | |
制造商: | Diodes Incorporated |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技术: | Si |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | TSSOP-8 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 2 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 20 V |
Id-连续漏极电流: | 8.58 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 16.5 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 8 V |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 880 mW |
通道模式: | Enhancement |
封装: | Cut Tape |
封装: | MouseReel |
封装: | Reel |
配置: | Dual |
产品: | MOSFET Small Signal |
系列: | DMN2016 |
晶体管类型: | 2 N-Channel |
商标: | Diodes Incorporated |
下降时间: | 16.27 ns |
产品类型: | MOSFET |
上升时间: | 11.66 ns |
工厂包装数量: | 2500 |
子类别: | MOSFETs |
典型关闭延迟时间: | 59.38 ns |
典型接通延迟时间: | 10.39 ns |
单位重量: | 158 mg |
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