产品简介
技术参数品牌:TI型号:CSD25402Q3A封装:SMD批次:21+数量:100000制造商:TexasInstruments产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:VSONP-8通道数量:1Channel晶体管极性:P-ChannelVds-漏源极击穿电压:20VId-连续漏极电流:76ARdsOn-漏源导通电阻:8
详情介绍
技术参数
品牌: | TI |
型号: | CSD25402Q3A |
封装: | SMD |
批次: | 21+ |
数量: | 100000 |
制造商: | Texas Instruments |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | VSONP-8 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | P-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 20 V |
Id-连续漏极电流: | 76 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 8.9 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 4.5 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 650 mV |
Qg-栅极电荷: | 7.5 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 125 C |
Pd-功率耗散: | 69 W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
高度: | 0.9 mm |
长度: | 3.15 mm |
系列: | CSD25402Q3A |
晶体管类型: | 1 P-Channel Power MOSFET |
宽度: | 3 mm |
下降时间: | 12 ns |
上升时间: | 7 ns |
典型关闭延迟时间: | 25 ns |
典型接通延迟时间: | 10 ns |
单位重量: | 27.800 mg |
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