产品简介
技术参数品牌：ROHM罗姆型号：BSM180D12P3C007数量：5000制造商：ROHMSemiconductor产品种类：分立半导体模块RoHS：是产品：PowerSemiconductorModules类型：SiCPowerMOSFETVgs-栅极-源极电压：-4V
详情介绍
技术参数
| 品牌： | ROHM罗姆 |
| 型号： | BSM180D12P3C007 |
| 数量： | 5000 |
| 制造商： | ROHM Semiconductor |
| 产品种类： | 分立半导体模块 |
| RoHS： | 是 |
| 产品： | Power Semiconductor Modules |
| 类型： | SiC Power MOSFET |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 4 V, 22 V |
| 安装风格： | Screw Mount |
| 封装 / 箱体： | Module |
| 最小工作温度： | - 40 C |
| 工作温度： | + 150 C |
| 系列： | BSMx |
| 封装： | Tray |
| 配置： | Half-Bridge |
| 商标： | ROHM Semiconductor |
| 通道数量： | 2 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 典型延迟时间： | 50 ns |
| 下降时间： | 50 ns |
| Id-连续漏极电流： | 180 A |
| Pd-功率耗散： | 880 W |
| 产品类型： | Discrete Semiconductor Modules |
| 上升时间： | 70 ns |
| 工厂包装数量： | 12 |
| 子类别： | Discrete Semiconductor Modules |
| 典型关闭延迟时间： | 165 ns |
| 典型接通延迟时间： | 50 ns |
| Vds-漏源极击穿电压： | 1200 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 2.7 V |
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