技术参数
品牌: | INFINEON |
型号: | BSS169H6327XTSA1 |
数量: | 5000 |
制造商: | Infineon Technologies |
系列: | SIPMOS® |
FET 类型: | N 通道 |
Vgs(值): | ±20V |
FET 功能: | 耗尽模式 |
功率耗散(值): | 360mW(Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
漏源电压(Vdss): | 100V |
哈勃智能科技(郑州)有限公司
免费会员
Product Display
技术参数品牌:INFINEON型号:BSS169H6327XTSA1数量:5000制造商:InfineonTechnologies系列:SIPMOS®FET类型:N通道Vgs(值):±20VFET功能:耗尽模式功率耗散(值):360mW(Ta)工作温度:-55°C~150°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装/外壳:TO-236-3
品牌: | INFINEON |
型号: | BSS169H6327XTSA1 |
数量: | 5000 |
制造商: | Infineon Technologies |
系列: | SIPMOS® |
FET 类型: | N 通道 |
Vgs(值): | ±20V |
FET 功能: | 耗尽模式 |
功率耗散(值): | 360mW(Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
漏源电压(Vdss): | 100V |
请选择省份
请输入账号
请输入密码
请输验证码
全球制造网 设计制作,未经允许翻录必究 .Copyright(C) https://www.qqzzao.com,All rights reserved.
以上信息由企业自行提供,信息内容的真实性、准确性和合法性由相关企业负责,全球制造网对此不承担任何保证责任。
所有评论仅代表网友意见,与本站立场无关。