雪崩二极管
SAE系列雪崩二极管：
SAE230VS和SAE500VS是普遍通用的硅类雪崩光电二极管，在400~1000nm范围具有高灵敏度，相当快的响应速度，峰值响应位于650nm，适合可见波段目标探测。各种类型封装形式可选。
提供Si, InGaAs类型雪崩二极管（APD）及其模块。
产品特点：
■ 高量子效率
■ 低噪声，高速度
■ 高增益，M>100
■ 500um探测靶面
■ 平缓的增益曲线
■ 宽温工作范围
IAG系列雪崩二极管：
IAG系列雪崩二极管，是非常经济适用的InGaAs APD，在1000nm~1630nm具有高灵敏度和快速响应时间。峰值响应位于1550nm，特别适合人眼安全的激光测距，自由空间光通讯，OTDR及高分辨OCT。
产品特点：
■ 80,200或350um探测面可选
■ 带宽可达2.5GHz
■ 1000nm~1600nm量子效率大于70%
■ 低暗电流&噪声
■ TO-46或陶瓷封装
产品应用：
■ 安全防护、激光测距、工业控制、分析仪器、航天、医疗设备、光通讯等行业
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