技术参数
品牌: | INFINEON |
型号: | IPD35N10S3L-26 |
批号: | 16+ |
封装: | TO-252 |
数量: | 2500 |
QQ: | |
制造商: | Infineon |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | PG-TO-252-3 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 100 V |
Id-连续漏极电流: | 35 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 24 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 10 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 1.2 V |
Qg-栅极电荷: | 30 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 175 C |
Pd-功率耗散: | 71 W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
资格: | AEC-Q101 |
高度: | 2.3 mm |
长度: | 6.5 mm |
系列: | OptiMOS-T |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
宽度: | 6.22 mm |
下降时间: | 3 ns |
上升时间: | 4 ns |
典型关闭延迟时间: | 18 ns |
典型接通延迟时间: | 6 ns |
零件号别名: | IPD35N10S3L26ATMA1 SP000386184 IPD35N1S3L26XT IPD35N10S3L26ATMA1 |
单位重量: | 4 g |
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