产品简介
技术参数品牌:VISHAY型号:SI5855CDC-T1-E3批号:10+封装:SOT23-8数量:2470QQ:对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求湿气敏感性等级(MSL):1(无限)类别:分立半导体产品产品族:晶体管-FET
详情介绍
技术参数
品牌: | VISHAY |
型号: | SI5855CDC-T1-E3 |
批号: | 10+ |
封装: | SOT23-8 |
数量: | 2470 |
QQ: | |
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况: | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
湿气敏感性等级 (MSL): | 1(无限) |
类别: | 分立半导体产品 |
产品族: | 晶体管 - FET,MOSFET - 单 |
系列: | LITTLE FOOT® |
FET 类型: | P 通道 |
漏源电压(Vdss): | 20V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): | 3.7A(Tc) |
驱动电压( Rds On,最小 Rds On): | 1.8V,4.5V |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值): | 144 毫欧 @ 2.5A,4.5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(值): | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值): | 6.8nC @ 5V |
Vgs(值): | ±8V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值): | 276pF @ 10V |
FET 功能: | 肖特基二极管(隔离式) |
功率耗散(值): | 1.3W(Ta),2.8W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-SMD,扁平引线 |
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