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当前位置:越特电子科技(北京)有限公司>>晶体管>>其他晶体管>> SI5855CDC-T1-E3VISHAY 场效应管 SI5855CDC-T1-E3 MOSFET P-CH 20V 3.7A 1206-8

VISHAY 场效应管 SI5855CDC-T1-E3 MOSFET P-CH 20V 3.7A 1206-8

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参  考  价:面议
具体成交价以合同协议为准
  • 产品型号:SI5855CDC-T1-E3
  • 品牌:
  • 产品类别:矿用防爆
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 样本:
  • 更新时间:2023-10-03 22:36:03
  • 浏览次数:4
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  • 经营模式:其他
  • 商铺产品:1128条
  • 所在地区:
  • 注册时间:2023-08-28
  • 最近登录:2023-08-28
  • 联系人:朱小姐
产品简介

技术参数品牌:VISHAY型号:SI5855CDC-T1-E3批号:10+封装:SOT23-8数量:2470QQ:对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求湿气敏感性等级(MSL):1(无限)类别:分立半导体产品产品族:晶体管-FET

详情介绍


技术参数

品牌:VISHAY
型号:SI5855CDC-T1-E3
批号:10+
封装:SOT23-8
数量:2470
QQ:
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求
湿气敏感性等级 (MSL):1(无限)
类别:分立半导体产品
产品族:晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列:LITTLE FOOT®
FET 类型:P 通道
漏源电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.7A(Tc)
驱动电压( Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值):144 毫欧 @ 2.5A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值):1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值):6.8nC @ 5V
Vgs(值):±8V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值):276pF @ 10V
FET 功能:肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(值):1.3W(Ta),2.8W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-SMD,扁平引线
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