技术参数
品牌: | ON/安森美 |
型号: | MMBD352LT1G |
批次: | 20+ |
数量: | 2000 |
类别: | 分立半导体产品 二极管 - 射频 |
制造商: | onsemi |
二极管类型: | 肖特基 - 1 对串联 |
电压 - 峰值反向(值): | 7V |
不同 Vr、F 时电容: | 1pF @ 0V,1MHz |
功率耗散(值): | 225 mW |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
封装/外壳: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
深圳市和乐共创科技有限公司
免费会员
Product Display
技术参数品牌:ON/安森美型号:MMBD352LT1G批次:20+数量:2000类别:分立半导体产品二极管-射频制造商:onsemi二极管类型:肖特基-1对串联电压-峰值反向(值):7V不同 Vr、F时电容:1pF@0V
品牌: | ON/安森美 |
型号: | MMBD352LT1G |
批次: | 20+ |
数量: | 2000 |
类别: | 分立半导体产品 二极管 - 射频 |
制造商: | onsemi |
二极管类型: | 肖特基 - 1 对串联 |
电压 - 峰值反向(值): | 7V |
不同 Vr、F 时电容: | 1pF @ 0V,1MHz |
功率耗散(值): | 225 mW |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
封装/外壳: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
请选择省份
请输入账号
请输入密码
请输验证码
全球制造网 设计制作,未经允许翻录必究 .Copyright(C) https://www.qqzzao.com,All rights reserved.
以上信息由企业自行提供,信息内容的真实性、准确性和合法性由相关企业负责,全球制造网对此不承担任何保证责任。
所有评论仅代表网友意见,与本站立场无关。