技术参数
品牌: | STM |
型号: | STW28NM50N |
封装: | N/A |
批号: | 22+ |
数量: | 77000 |
制造商: | STMicroelectronics |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技术: | Si |
安装风格: | Through Hole |
封装 / 箱体: | TO-247-3 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 500 V |
Id-连续漏极电流: | 21 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 158 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 25 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 4 V |
Qg-栅极电荷: | 50 nC |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 150 W |
商标名: | MDmesh |
配置: | Single |
系列: | STW28NM50N |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
类型: | N-Channel MDmesh II Power MOSFET |
商标: | STMicroelectronics |
正向跨导 - 最小值: | 1.5 S |
下降时间: | 52 ns |
产品类型: | MOSFET |
上升时间: | 19 ns |
工厂包装数量: | 600 |
子类别: | MOSFETs |
典型关闭延迟时间: | 62 ns |
典型接通延迟时间: | 13.6 ns |
单位重量: | 38 g |
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