产品简介
技术参数品牌:DIODES型号:DMN6140L-13批号:封装:数量:10000QQ:制造商:DiodesIncorporated产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:SOT-23-3通道数量:1Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:60VId-连续漏极电流:2
详情介绍
技术参数
品牌: | DIODES |
型号: | DMN6140L-13 |
批号: |
封装: |
数量: | 10000 |
QQ: | |
制造商: | Diodes Incorporated |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SOT-23-3 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 60 V |
Id-连续漏极电流: | A |
Rds On-漏源导通电阻: | 140 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 10 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 1 V |
Qg-栅极电荷: | nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
系列: | DMN614 |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
下降时间: | ns |
上升时间: | ns |
典型关闭延迟时间: | ns |
典型接通延迟时间: | ns |
单位重量: | 46 mg |
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