产品简介
技术参数品牌:DIODES型号:ZXMN2A01FTA批号:封装:数量:9000QQ:描述:MOSFETN-CH20V1
详情介绍
技术参数
品牌: | DIODES |
型号: | ZXMN2A01FTA |
批号: |
封装: |
数量: | 9000 |
QQ: | |
描述: | MOSFET N-CH 20V SOT23-3 |
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况: | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
湿气敏感性等级 (MSL): | 1(无限) |
原厂标准交货期: | 13 周 |
详细描述: | 表面贴装型-N-通道-20V-(Ta)-625mW(Ta)-SOT-23-3 |
数据列表: | ZXMN2A01F; |
标准包装: | 3,000 |
包装: | 标准卷带 |
零件状态: | 有源 |
类别: | 分立半导体产品 |
产品族: | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 |
系列: | - |
其它名称: | ZXMN2A01FTR |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 20V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | (Ta) |
驱动电压( Rds On,最小 Rds On): | , |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值): | 120 毫欧 @ 4A, |
不同 Id 时 Vgs(th)(值): | 700mV @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值): | 3nC @ |
Vgs(值): | ±12V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值): | 303pF @ 15V |
FET 功能: | - |
功率耗散(值): | 625mW(Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | SOT-23-3 |
封装/外壳: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
- 上一篇: DIODES 三极管 FMMT497TA 双极晶体管 -
- 下一篇: DIODES 电压基准IC AZ431LANTR-G1 参考
所有评论仅代表网友意见,与本站立场无关。