产品简介
技术参数品牌:VISHAY/威世型号:BPW85C封装:21+批次:DIP数量:5000制造商:Vishay产品种类:光电晶体管RoHS:是产品:Phototransistors封装/箱体:T-1安装风格:ThroughHole峰值波长:850nm开启状态集电极电流:50mA集电极—发射极电压VCEO:70V集电极—射极击穿电压:70V集电极—射极饱和电压:0
详情介绍
技术参数
品牌: | VISHAY/威世 |
型号: | BPW85C |
封装: | 21+ |
批次: | DIP |
数量: | 5000 |
制造商: | Vishay |
产品种类: | 光电晶体管 |
RoHS: | 是 |
产品: | Phototransistors |
封装 / 箱体: | T-1 |
安装风格: | Through Hole |
峰值波长: | 850 nm |
开启状态集电极电流: | 50 mA |
集电极—发射极电压 VCEO: | 70 V |
集电极—射极击穿电压: | 70 V |
集电极—射极饱和电压: | V |
暗电流: | 200 nA |
Pd-功率耗散: | 100 mW |
最小工作温度: | - 40 C |
工作温度: | + 100 C |
高度: | mm |
长度: | mm |
透镜颜色/类型: | Clear |
类型: | Chip |
波长: | 850 nm |
宽度: | mm |
商标: | Vishay Semiconductors |
半强度角度: | 25 deg |
弱电流: | 8 mA |
产品类型: | Phototransistors |
工厂包装数量: | 5000 |
子类别: | Optical Detectors and Sensors |
单位重量: | mg |
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